| 发明名称 | 用于高K介电材料的界面层 | ||
| 摘要 | 提供一种方法和装置，用于在硅衬底(11)上沉积纯锗层(12)。该锗层非常薄，在约14的量级上，并且小于硅上纯锗的临界厚度。该锗层(12)用作硅衬底(11)和高k栅极层(13)之间的中间层，其沉积于锗层(12)之上。锗层(12)有助于避免在施加高k材料期间氧化物界面层的形成。在半导体结构中使用锗中间层导致高k栅极功能性，而不会存在：由于氧化物杂质导致的串联电容的缺点。该锗层(12)还提高了迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN100481319C | 申请公布日期 | 2009.04.22 |
| 申请号 | CN200580023883.7 | 申请日期 | 2005.06.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 肖恩·G·托马斯;怕普·D·马尼尔;维达·依尔德瑞姆 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I;H01L27/095(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/80(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括步骤：提供具有暴露表面的硅衬底；抑制在硅衬底的暴露表面上形成一个或多个氧化物，其中抑制包括以下步骤：清洗硅衬底的暴露表面以减少氧化物的存在；直接在清洗后的硅衬底的暴露表面上沉积纯的锗层，使得锗层厚度小于14<img file="C200580023883C0002104611QIETU.GIF" wi="52" he="73" />并且与所述硅衬底外延匹配，其中沉积的纯的锗层具有暴露表面；和清洗纯的锗层的暴露表面以减少氧化物的存在；以及直接在清洗后的纯的锗层的暴露表面上形成高k材料的介电层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||