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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Isolierschicht
摘要
申请公布号 DE10215773(B4) 申请公布日期 2009.04.02
申请号 DE20021015773 申请日期 2002.04.10
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 JUNG, WOO-CHAN;JEON, JIN-HO;LIM, JEON-SIG;YI, JONG-SEUNG
分类号 C23C16/42;H01L21/316;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/52;C23C16/56 主分类号 C23C16/42
代理机构 代理人
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