Halbleitersubstrat mit Durchkontaktierung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates mit Durchkontaktierung

摘要

Die Durchkontaktierung des Substrates wird durch eine Kontaktlochfüllung (4) einer Halbleiterschicht (11) und eine Metallisierung (17) einer Ausnehmung (16) in einer rückseitigen Halbleiterschicht (13) gebildet, wobei die Halbleiterschichten durch eine vergrabene Isolationsschicht (12) voneinander getrennt sind, an deren Schichtlage die Kontaktlochfüllung beziehungsweise die Metallisierung jeweils endet.