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Es wird eine Halbleiteranordnung, bestehend aus einem hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1) und einer ersten n-Siliziumepitaxieschicht (22), die sich direkt an das hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (13), die sich an eine zweite n-dotierte Siliziumepitaxieschicht (12) anschließt und eine Heteroübergang-Diode bildet, welche sich über der ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) befindet und bei der sich der pn-Übergang innerhalb der p-dotierten SiGe-Schicht (3) befindet, beschrieben. Dabei hat die erste n-Siliziumepitaxieschicht (22) eine höhere Dotierkonzentration als die zweite n-Siliziumepitaxieschicht (12). Zwischen den beiden n-dotierten Epitaxieschichten liegt mindestens eine p-dotierte Emitterwanne (9), die einen vergrabenen Emitter bildet, wobei sich sowohl ein pn-Übergang zur ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) als auch zur zweiten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (12) ausbildet und wobei die mindestens eine Emitterwanne (9) vollständig von den beiden Epitaxieschichten umschlossen ist.
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