| 发明名称 | 靶结构和靶保持装置 | ||
| 摘要 | 靶结构和靶保持装置。提供一种靶结构，该靶结构使得即使当增大输入电功率来增大膜沉积速率时，也能实现熔化状态下的镓或含镓材料的溅射。还提供一种包括该靶结构的溅射装置。该靶结构包括：保持部其由金属材料形成；以及镓或含镓材料，其被置于保持部上，其中，在保持部的形成与镓或含镓材料的界面的表面上形成有薄膜，该薄膜与熔化状态下的镓或含镓材料成不大于30°的接触角。该溅射装置包括该靶结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101397650A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810149389.0 | 申请日期 | 2008.09.25 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 石桥启次;醍醐佳明 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1. 一种靶结构，其包括：靶保持部，其由金属材料形成；和镓或含镓靶材，其被置于所述靶保持部上，其中，在所述靶保持部的形成与所述镓或含镓靶材的界面的表面上形成有薄膜，该薄膜与熔化状态下的所述镓或含镓靶材成不大于30°的接触角。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||