| 发明名称 | 抛光液和抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：表面改性粒子，所述表面改性粒子包括具有选自Ti、Al、Zr和Si中的至少一种无机原子的有机聚合物粒子，所述至少一种无机原子通过存在于所述有机聚合物粒子的表面上的氧原子结合到所述有机聚合物粒子上；有机酸；具有至少两个羧基的唑化合物；以及氧化剂，所述抛光液具有1至7的pH值；并且还提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101397480A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810130951.5 | 申请日期 | 2008.09.17 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 斋江俊之 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;B24B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1. 一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：表面改性粒子，所述表面改性粒子包括具有选自Ti、Al、Zr和Si中的至少一种无机原子的有机聚合物粒子，所述至少一种无机原子通过存在于所述有机聚合物粒子的表面上的氧原子结合到所述有机聚合物粒子上；有机酸；包含至少两个羧基的唑化合物；以及氧化剂，所述抛光液具有1至7的pH值。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||