发明名称 DISPOSITIVO EMF DE GAMA DE TEMPERATURA AMPLIADA.
摘要 Un sensor que genera una EMF en presencia de un gradiente de temperatura entre los extremos terminales del sensor, que comprende: un primer componente formado a partir de al menos un primer metal noble y un óxido elegido en el grupo consistente en óxido de itrio, óxido de cerio, óxido de zirconio, y combinaciones de estos últimos; un primer conductor formado a partir de un primer material conductor, estando dicho primer conductor conectado eléctricamente a dicho primer componente; un segundo componente en contacto eléctrico con el citado primer componente, estando dicho segundo componente formado a partir de al menos un segundo metal noble, diferente del primer metal noble, y de un óxido elegido en el grupo consistente en óxido de itrio, óxido de cerio, óxido de zirconio, y combinaciones de estos últimos; y un segundo conductor formado a partir de un segundo material conductor, estando dicho segundo conductor conectado eléctricamente a dicho segundo componente, que se caracteriza porque dichos óxidos están endurecidos por dispersión dentro de los contornos de grano y de una porción de cuerpo principal de dichos primer y segundo metales nobles.
申请公布号 ES2315607(T3) 申请公布日期 2009.04.01
申请号 ES20040029824T 申请日期 2004.12.16
申请人 HARCO LABORATORIES INC. 发明人 HABBOOSH, SAMIR W.
分类号 C22C5/04;G01K7/02;H01L35/20 主分类号 C22C5/04
代理机构 代理人
主权项
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