| 发明名称 | 半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体激光器(LD1)中，在半导体基片(1)的表面上形成半导体激光器层，并且分别在半导体激光器层一侧和半导体基片(1)一侧提供p-型电极(8)和n-型电极(11)，使其将半导体激光器层和半导体基片(1)包夹在中间。该p-型电极(8)包括第一电极(9)和覆盖第一电极(8)的第二电极(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN100474717C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200580008395.9 | 申请日期 | 2005.03.02 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 | 发明人 | 田内阳三;中岛健二;河本清时 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种脊形条状半导体激光器，包括：有源层、将有源层包夹在中间的上包覆层和下包覆层、在上包覆层的一部分中形成的条形脊、和覆盖条形脊的两侧但不覆盖其顶面的电流阻挡层，其中第一电极在半导体激光器的上表面上形成，第二电极在第一电极上形成，其中第一电极被做成比第二电极薄，并且被形成为至少覆盖脊的顶面的整个区域，且在条形方向达到脊的两端，并且其中第二电极在离开脊的条形方向两端一个给定距离的位置形成，并且在沿宽度方向离开激光器两端一个给定距离的位置形成，宽度方向是与条形方向交叉的方向，其中第一电极的宽度方向长度比第二电极的宽度方向长度短。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||