| 摘要 |
〔课题〕提供能确保半导体晶圆的高平坦度，且能提升边缘区域的半导体晶圆利用率的半导体晶圆之制造方法。〔解决手段〕利用具备有：收纳着半导体晶圆S的承载器50、以及包夹该承载器50的上平板10与下平板20之双面研磨机1，对上述半导体晶圆S的表背面同时施行研磨加工的半导体晶圆之制造方法，包括：将半导体晶圆S的厚度尺寸设为较承载器50的厚度尺寸大出0μm以上且5μm以下范围内，并收纳于承载器50中，对半导体晶圆S的面及平板10、20的面之间供应研磨浆，并施行研磨的研磨步骤；在研磨步骤中，将半导体晶圆的裕度，双面均设定在5μm以下。 |
