浮置栅极层与非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，包括于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与硬掩模层；于硬掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除每一个隔离结构之一部分，以暴露出硬掩模层的部分侧壁；于暴露出的硬掩模层的侧壁上形成间隙壁。继之，于隔离结构上形成介电层，以填满间隙壁之间的空隙；移除间隙壁与硬掩模层；于第一导体层上形成第二导体层，以填满介电层之间的空隙；移除介电层；于基底上共形地形成栅间介电层；于栅间介电层上形成第三导体层；图案化第三导体层与第二导体层、第一导体层以形成控制栅极与浮置栅极。

主权项

1. 一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一硬掩模层；在该硬掩模层、该第一导体层、该穿隧介电层与该基底中形成多个隔离结构；移除各所述隔离结构的一部分，以暴露出该硬掩模层的部分侧壁；在暴露出的该硬掩模层的侧壁上形成多个间隙壁；在所述隔离结构上分别形成一介电层，以填满所述间隙壁之间的空隙；移除所述间隙壁与该硬掩模层，以暴露出该第一导体层；在该第一导体层上形成一第二导体层，以填满该介电层之间的空隙；移除该介电层；在该基底上共形地形成一栅间介电层；在该栅间介电层上形成一第三导体层；以及图案化该第三导体层以形成一控制栅极，并图案化该第二导体层、该第一导体层以形成一浮置栅极。