| 发明名称 | 固态成像装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种固态成像装置，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上或上方的一个或多个线路层间膜；以及，嵌入在所述线路层间膜中的一个或多个金属连线。所述一个或多个线路层间膜由防止所述金属连线扩散的扩散阻止材料构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100474596C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200510129482.1 | 申请日期 | 2005.12.09 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 武田健 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种固态成像装置，包括：半导体衬底；用于防止在所述半导体衬底和将要形成的金属连线之间产生电容的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上或上方；设置在所述层间绝缘膜上或上方的一个或多个线路层间膜；以及分别嵌入在所述一个或多个线路层间膜中的一个或多个金属连线，其中，在所述一个或多个线路层间膜中，最靠近所述半导体衬底的线路层间膜，或者该最靠近所述半导体衬底的线路层间膜和一个或多个顺序沉积的线路层间膜，由防止所述金属连线扩散的扩散阻止材料构成；所述层间绝缘膜由所述扩散阻止材料构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||