发明名称 |
半导体工艺中250℃到550℃范围内温度测定的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体工艺中250℃到550℃范围内温度测定的方法,首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层,然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属,并测定金属线条的电阻,再将使硅片完成正常的生产工艺,之后再次测定金属线条的电阻,通过比较两次电阻值的变化,得到生产工艺流程中的温度。本发明与现有的温度监控方法比较,可以实时精确地测定在250℃到550℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性,而不是以静态温度设定推算,采用的材料在半导体工艺中也最为常见,因此成本低廉,简便易行。 |
申请公布号 |
CN100474547C |
申请公布日期 |
2009.04.01 |
申请号 |
CN200510110602.3 |
申请日期 |
2005.11.22 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
陈俭 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
1. 半导体工艺中250℃到550℃范围内温度测定的方法,其特征在于,依次包括如下步骤:(1)在半导体硅片表面淀积一层氧化层;(2)在硅片上以小于150℃的温度下淀积一层钛,然后在钛层之上以小于150℃的温度淀积一层铝合金;(3)用光刻工艺定义金属线条以及线条引出的大块金属,然后制作出金属线条图形和大块金属;(4)用探针台测定金属线条初始电阻并记录;(5)将硅片放到设备上完成与实际工艺相同的过程;(6)再一次用探针台测定金属线条的电阻,比较初始值,得出实际制作时的温度和温度场分布。 |
地址 |
201206上海市浦东新区川桥路1188号 |