利用可变电阻性材料之非易失性记忆体装置

摘要

本发明提供一种非易失性记忆体装置，其包括一非易失性记忆体单元、一读取电路及一控制偏压产生电路。该非易失性记忆体单元具有一视储存资料而改变之电阻位准。该读取电路藉由接收一控制偏压且基于该控制偏压而向该非易失性记忆体单元供应一读取偏压来读取该非易失性记忆体单元之该电阻位准。该控制偏压产生电路接收一输入偏压、基于该输入偏压而产生该控制偏压且将该控制偏压供应至该读取电路。该控制偏压对该输入偏压之一斜率小于1。