| 发明名称 | 倒置变质多结太阳能电池中的障壁层 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成包括上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法，所述方法包括：提供第一衬底，其用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成障壁层，以减少穿透位错；在所述障壁层上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池而晶格失配。 | ||
| 申请公布号 | CN101399298A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200810211416.2 | 申请日期 | 2008.09.22 |
| 申请人 | 昂科公司 | 发明人 | 阿瑟·科恩费尔德;马克·A·斯坦;坦森·瓦格赫塞;弗雷德·纽曼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孟 锐 |
| 主权项 | 1. 一种形成包含上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法，所述方法包含：提供第一衬底，其用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成障壁层；在所述障壁层上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池而晶格失配。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||