| 发明名称 | 电子器件和用于形成电子器件的工艺 | ||
| 摘要 | 电子器件(10)可以具有位于第一半导体层(16)与基层(12)之间的绝缘层(14)。与第一半导体层相比，具有不同组成和应力的第二半导体层(22)可以覆盖第一半导体层的至少一部分。在一个实施例中，第一电子元件(52或54)可以包括第一有源区域，该第一有源区域包括第一和第二半导体层的第一部分。第二电子元件(58或56)可以包括第二有源区域，该第二有源区域可以包括第一半导体层的第二部分。可以用不同的工艺来形成该电子器件。在另一实施例中，可以执行使工件退火，并且可以改变至少一个半导体层的应力。在不同实施例中，可以在第二半导体层形成之前或之后执行使工件退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101401201A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200780008409.6 | 申请日期 | 2007.02.22 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | M·G·撒达卡;V·R·克拉冈塔;W·J·泰勒;V·H·瓦塔尼安 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1. 一种形成电子器件的工艺，其包括：提供工件，其中：所述工件包括第一半导体层、绝缘层、以及基层；所述绝缘层位于第一半导体层与基层之间，以及所述第一半导体层具有第一应力，所述第一应力具有第一量值和第一类型；在第一半导体层上形成第二半导体层，其中，所述第二半导体层具有第二应力，所述第二应力具有第二量值和第二类型；使工件退火，使得第二半导体层具有第三应力，所述第三应力具有第三量值和第三类型，其中，第三量值不同于第二量值；以及去除第二半导体层的至少一部分以便暴露第一半导体层的一部分，其中，去除第二半导体层的至少一部分之后，第一半导体层具有第四应力，所述第四应力具有第四量值和第四类型，所述第四类型与第二类型相反。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||