| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 封装尺寸为接近芯片尺寸，除所谓应力缓冲层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置(150)具有：有电极(158)的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层(152)、从电极(158)直到树脂层(152)的上边所形成的布线(154)以及在树脂层(152)的上方在布线(154)上形成的焊料球(157)，还形成树脂层(152)使得在表面上具有凹部(152a)，并且经过凹部(152a)形成布线(154)。 | ||
| 申请公布号 | CN100474543C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200610151702.5 | 申请日期 | 1997.12.04 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 桥元伸晃 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有：准备已形成电极的晶圆的工序；避开上述电极的至少一部分，在上述晶圆上设置第1应力缓冲层的工序；从上述电极直到上述第1应力缓冲层的上边，形成第1导通部的工序；在形成了上述第1导通部的上述第1应力缓冲层的上边，形成第2应力缓冲层的工序；和在上述第2应力缓冲层之上，设置与上述第1导通部连接的第2导通部的工序；在形成了上述第2导通部的上述第2应力缓冲层的上边，形成第3应力缓冲层的工序；在上述第3应力缓冲层之上形成第3导通部的工序；在上述第1应力缓冲层的上方，形成与上述第1导通部连接的外部电极的工序；以及将上述晶圆切断成各个小片的工序，将上述第2导通部形成线状，并将上述第1和第3导通部形成面状，使其具有比上述第2导通部还大的平面扩展。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||