半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括圆柱型底部电极，其连接至在半导体基板上形成的接触插塞；以及支撑图案，其在圆柱型底部电极之间形成，其中，底部电极的侧壁的一部分高于支撑图案，并且底部电极的侧壁的另一部分低于支撑图案。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体基板上形成第一牺牲绝缘膜；在所述第一牺牲绝缘膜上形成支撑层；在所述支撑层上形成第二牺牲绝缘膜；蚀刻所述第二牺牲绝缘膜、所述支撑层和所述第一牺牲绝缘膜以形成底部电极区域，所述底部电极区域使在所述半导体基板上形成的接触插塞露出；在形成所述底部电极区域之后，在所得结构上形成底部电极导电层；使所述底部电极导电层平坦化以使所述第二牺牲绝缘膜露出；在使所述底部电极导电层平坦化之后，在所得结构上形成第三牺牲绝缘膜；蚀刻所述第三牺牲绝缘膜、所述第二牺牲绝缘膜及所述支撑层，以形成位于底部电极与相邻底部电极之间的第三牺牲绝缘图案、第二牺牲绝缘图案和支撑图案；以及移除第一牺牲绝缘图案、所述第二牺牲绝缘图案和所述第三牺牲绝缘图案以形成所述底部电极。