| 发明名称 | 具有至少一种谐振腔模式形状的MEMS谐振器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其中，谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，其特征在于谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，第一沟槽(3)位于第二沟槽(3)内，以便在衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从衬底(2)释放谐振器结构(1)。本发明还涉及制造这种MEMS谐振器的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101401303A | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN200780008457.5 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 马克·斯沃洛斯基;帕特里·加芒;帕斯卡·菲利普 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其特征在于，所述谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，并且其特征还在于所述谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，所述第一沟槽(3)位于所述第二沟槽(3)内，以便在所述衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从所述衬底(2)释放所述谐振器结构(1)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||