| 发明名称 | 具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件 | ||
| 摘要 | 一种沟槽MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底(200)；第一导电类型的外延层；其中该外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；延伸到外延区中的沟槽；沟槽内的绝缘导电区(211)；在沟槽底部和衬底之间的外延层内形成的第一导电类型的掺杂区(206)，其中该掺杂区具有比衬底低和比外延层高的多数载流子浓度；在外延层的上部内且邻近沟槽形成的第二导电类型的体区(204)；其中体区从外延层的上表面延伸的深度比沟槽小；体区内的源区(212)。 | ||
| 申请公布号 | CN100474616C | 申请公布日期 | 2009.04.01 |
| 申请号 | CN02823246.1 | 申请日期 | 2002.11.20 |
| 申请人 | 通用半导体公司 | 发明人 | 石甫渊;苏根政;约翰·E·阿马托;崔炎曼 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L31/062(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I;H01L31/119(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/4763(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;钟 强 |
| 主权项 | 1. 一种沟槽MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；在所述衬底上的所述第一导电类型的外延层，所述外延层具有比所述衬底更低的多数载流子浓度；从所述外延层的上表面延伸到所述外延层中的沟槽；内衬至少部分所述沟槽的绝缘层；在邻近所述绝缘层的所述沟槽内的导电区；在所述沟槽底部和所述衬底之间的所述外延层内形成的所述第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区具有低于所述衬底和高于所述外延层的多数载流子浓度，所述掺杂区在所述沟槽底部延伸，且比所述沟槽底部宽，所述掺杂区延伸的距离是从所述沟槽底部到所述衬底距离的100％；在所述外延层的上部内且邻近所述沟槽形成的第二导电类型的体区，所述体区从所述外延层的所述上表面延伸的深度小于所述沟槽延伸的深度；和在所述体区的上部内且邻近所述沟槽形成的所述第一导电类型的源区。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||