金属化制程

摘要

一种金属化制程，首先提供一半导体基材，此半导体基材具有至少一含矽导电区域。接着，提供一改善结块现象（agglomeration phenomenon）之离子植入于含矽导电区域。再来，对此半导体基材进行第一热处理，以修复半导体基材表面。其次，形成一金属层于此半导体基材表面，金属层系覆盖含矽导电区域。然后，对覆盖有金属层之此半导体基材进行第二热处理，以于含矽导电区域上形成一金属矽化物层。