非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，此方法包括：于基底上依序形成穿隧介电层与第一导体层；于第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；于源极区域与汲极区域形成保护层；移除部分隔离结构；移除保护层；于基底上形成闸间介电层；移除源极区域以及汲极区域的闸间介电层；于基底上形成第二导体层；进行图案化制程，图案化第二导体层、闸间介电层、第一导体层与穿隧介电层，并同时移除源极区域以及汲极区域的第二导体层、第一导体层与穿隧介电层；于堆叠闸极结构二侧、源极区域以及汲极区域的基底中分别形成掺杂区。