| 发明名称 | 离子注入测试体、离子注入区掩膜版及离子注入测试方法 | ||
| 摘要 | 一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。本发明还提供了一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本发明还提供了一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101393906A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710046216.1 | 申请日期 | 2007.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 丁宇;居建华;赖李龙 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；其特征在于：所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||