| 发明名称 | 形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成第一硬掩模膜及蚀刻阻挡膜；在所述蚀刻阻挡膜上形成牺牲图案；在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物；移除所述牺牲图案；使用所述间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻阻挡膜及所述硬掩模膜，以形成蚀刻阻挡图案及硬掩模图案；以及移除所述间隔物及所述蚀刻阻挡图案，从而提高所述器件的良率及可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101393846A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810130771.7 | 申请日期 | 2008.07.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 潘槿道;宣俊劦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成硬掩模膜及蚀刻阻挡膜；在所述蚀刻阻挡膜上形成牺牲图案；在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物；移除所述牺牲图案；以及使用所述间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻阻挡膜及所述硬掩模膜，以形成硬掩模图案，其中，使用所述硬掩模图案来蚀刻所述基板。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||