| 发明名称 | Al合金膜、电子器件及光电显示装置用有源矩阵衬底 | ||
| 摘要 | 本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且，第一添加元素的组成比是0.5～5at％，第二添加元素的组成比是0.1～3at％。 | ||
| 申请公布号 | CN101393905A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810160924.2 | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 井上和式;石贺展昭;长山显祐;津村直树;中畑匠 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;陈景峻 |
| 主权项 | 1. 一种Al合金膜，包含：由Ni构成的第一添加元素；由属于元素周期表的第二周期或者第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||