发明名称 |
自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种凹入式栅极MOS晶体管元件的制作方法。首先提供半导体基底,其具有存储器阵列区,其中该半导体基底具有主表面,且在该主表面上形成有垫氧化层以及垫氮化硅层。本发明的特征在于利用形成在沟槽上盖层的侧壁上的对称侧壁子,进行栅极沟槽以及自我对准凹入式栅极晶体管的制作。 |
申请公布号 |
CN100472757C |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200610084285.7 |
申请日期 |
2006.05.30 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
李友弼;林瑄智;何家铭 |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1. 一种自动对准凹入式栅极MOS晶体管元件的制作方法,包含有:提供半导体基底,其中该半导体基底具有主表面;于该半导体基底中形成多个沟槽电容,其中各该多个沟槽电容上皆有沟槽上盖层,凸出该主表面;于该半导体基底上沉积氮化硅层,使其覆盖该沟槽上盖层的上表面以及侧壁;于该氮化硅层上沉积多晶硅层;各向异性蚀刻该多晶硅层,以于该沟槽上盖层的侧壁上形成多晶硅侧壁子;氧化该多晶硅侧壁子,形成硅氧侧壁子;利用该硅氧侧壁子作为蚀刻硬掩模,蚀刻该氮化硅层以及该半导体基底,形成栅极沟槽;于该栅极沟槽的侧壁以及底部上形成栅极介电层;以及于该栅极介电层上形成栅极材料层,并使其填满该栅极沟槽。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |