| 主权项 |
1. 一种半导体存储器件，它包含：用来传送数据的第一位线；与第一位线有互补电平关系的第二位线；存储区，其中，n沟道第一MOS晶体管的漏电极与n沟道第二MOS晶体管的栅电极被彼此连接以形成第一节点，且n沟道第二MOS晶体管的漏电极与n沟道第一MOS晶体管的栅电极被彼此连接以形成第二节点；p沟道第三MOS晶体管，连接在第一节点和第一位线之间，并且所述p沟道第三MOS晶体管的栅电极连接到字线；p沟道第四MOS晶体管，连接在第二节点和第二位线之间，并且所述p沟道第四MOS晶体管的栅电极连接到所述字线；以及电源电路，它能够将根据施加到n沟道第一和第二MOS晶体管中的每一个的源电位与字线选择电平电位之间的差变得大于或等于p沟道第三和第MOS晶体管中的每一个的阈值电压的条件而设定的电压，馈送到n沟道第一和第MOS晶体管中的每一个的源电极，其中，p沟道第三和第MOS晶体管被构造成垂直结构，p沟道第三MOS晶体管被层叠在n沟道第一MOS晶体管上，而p沟道第MOS晶体管被层叠在n沟道第二MOS晶体管上，其中，所述电源电路包括：连接到n沟道第一和第二MOS晶体管的源电极和地的n沟道第五MOS晶体管；以及误差放大器，用来确定由外部电源电压生成的参考电压与施加到n沟道第一和第MOS晶体管中的每一个的源电位之间的差值，并用来根据此差值而控制n沟道第MOS晶体管的导通电阻。 |
