| 发明名称 | 堆叠半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠半导体芯片。一个实施例提供了第一半导体芯片的阵列，利用模制材料覆盖第一半导体芯片的阵列，以及在第一半导体芯片的阵列上设置第二半导体芯片的阵列。减小第二半导体芯片的厚度。通过分离模制材料使第一半导体芯片的阵列独立。 | ||
| 申请公布号 | CN101393873A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810211547.0 | 申请日期 | 2008.09.19 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 克劳斯·普雷塞尔;戈特弗里德·比尔 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李 慧 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：提供第一半导体芯片的阵列；利用模制材料覆盖所述第一半导体芯片的阵列；在所述第一半导体芯片的阵列上方设置第二半导体芯片的阵列；减小所述第二半导体芯片的厚度；以及通过分离所述模制材料使所述第一半导体芯片的阵列独立。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||