| 发明名称 | 热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法，通过红外热像仪给器件表面成像，便可获得器件表面的温度分布，进而获得铟柱阵列的倒焊互连质量的分布情况。本发明操作简便易行，可以方便快速的定位互连失效的光敏元和给出器件的铟柱互连的成功率，适用于各种规格的器件，并具有无损伤非接触的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101393151A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810201546.8 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 张海燕;胡晓宁;李言谨;龚海梅 |
| 分类号 | G01N25/72(2006.01)I | 主分类号 | G01N25/72(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 郭 英 |
| 主权项 | 1. 一种热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法，其特征在于：它采用红外热像仪(8)对被测的芯片表面成像，获得芯片表面的温度分布，进而获得铟柱阵列的倒焊互连质量的分布情况。 | ||
| 地址 | 200083上海市玉田路500号 | ||