发明名称 |
涂底的方法及光刻胶的涂布方法 |
摘要 |
一种涂底的方法,包括:将半导体晶片置于密闭的腔室中;降低所述腔室中的压力,使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力;对所述半导体晶片进行脱水烘烤;继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺,向所述腔室中通入气态的涂底材料,在所述半导体晶片表面形成涂底膜层;向所述腔室中通入惰性气体或氮气,并将残余的涂底材料抽出。本发明还提供一种光刻胶的涂布方法。本发明的涂底方法可减少涂底的时间,提高涂底的速度,且能够防止涂底材料泄露,避免造成污染。 |
申请公布号 |
CN101393840A |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200710046207.2 |
申请日期 |
2007.09.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
杨光宇 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1、一种涂底的方法,其特征在于,包括:将半导体晶片置于密闭的腔室中;降低所述腔室中的压力,使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力;对所述半导体晶片进行脱水烘烤;继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺,向所述腔室中通入气态的涂底材料,在所述半导体晶片表面形成涂底膜层;向所述腔室中通入惰性气体或氮气,并将残余的涂底材料抽出。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |