发明名称 修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置
摘要 本发明修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置属于半导体加工领域,特别涉及修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置。首先通过基片的中心建立一个三维正交坐标系,X轴和Y轴分别垂直于基片的两个边,利用单晶定向仪确定基片在XOZ面偏离X轴角度和YOZ面上偏离Y轴角度,把基片放在塑料薄片方孔内,使基片要矫正的表面朝外,插好塑料管后,开启真空泵;夹具基体形状为T形结构,孔A、B和C的中心连线构成等腰直角三角形。本发明修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置保证基片在加工的过程中发生晶面偏差时能够同时在两个方向上进行修正,夹具结构简单,安装方便。
申请公布号 CN101393856A 申请公布日期 2009.03.25
申请号 CN200810228498.1 申请日期 2008.10.31
申请人 大连理工大学 发明人 康仁科;李岩;高航;吴东江;郭东明
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 大连理工大学专利中心 代理人 关慧贞
主权项 1. 一种修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置,修正晶面偏差的加工方法其特征是,首先通过基片(9)的中心建立一个三维正交坐标系,原点为O,X轴和Y轴垂直于外延片的两个边,利用单晶定向仪确定基片(9)在XOZ面偏离X轴角度α和YOZ面上偏离Y轴角度β,然后,采用如下步骤:1)把基片(9)放在塑料薄片(7)方孔内,使基片(9)要矫正的表面朝外,插好塑料管(10)后,开启真空泵(11);2)测量基片表面中心0到夹具基体顶面的距离L,调整夹具基体(1)上的调整测微头(2)和(4)的长度L1和L2,使L1=L2=L,这时,基片(9)表面的中心和两个测微头(2)和(4)的顶端中心在同一水平面上;3)调整夹具基体(1)上的两个测微头(2)和(4)的长度,使要调整的长度ΔL1=M×tanα和ΔL2=M×tanβ,并使调整测微头(2)的伸缩方向与基片在XOZ面偏离X轴方向相反,调整测微头(4)的伸缩方向与基片在YOZ面偏离Y轴方向相反;4)把夹具放在研磨机上,用手把持夹具不动,使用研磨液对基片进行研磨;5)取下基片(9),用单晶定向仪对矫正后的外延片进行测量,如果晶面偏差在使用允许范围内则矫正完毕,如果仍存在的晶面偏差,则继续按以上步骤矫正。
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