| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够长时间地将磷酸水溶液的蚀刻特性维持在规定水平的基板处理装置。添加剂投入机构(30)向贮留在浸渍处理槽(10)内的磷酸水溶液中，逐次投入含有六氟硅酸水溶液(H<sub>2</sub>SiF<sub>6</sub>+H<sub>2</sub>O)的添加剂。而且，捕集剂投入机构(40)向磷酸水溶液中，投入含有氟硼酸水溶液(HBF<sub>4</sub>+H<sub>2</sub>O)的捕集剂。通过逐次投入添加剂，能够适当补充促进氮化硅膜的蚀刻的F<sup>-</sup>，并且，通过氟硼酸分解的氢氟酸蚀刻因逐次投入该添加剂而增加的硅氧烷，能够抑制硅氧烷的浓度显著升高。由此，对于氮化硅膜以及氧化硅膜两者，能够维持在初始的蚀刻速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101393867A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810145403.X | 申请日期 | 2008.08.05 |
| 申请人 | 大日本网屏制造株式会社 | 发明人 | 清濑浩巳 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马少东;徐 恕 |
| 主权项 | 1. 一种基板处理装置，其将形成有氧化硅膜以及氮化硅膜的基板浸渍到磷酸水溶液中而对氮化硅膜进行蚀刻处理，其特征在于，具有：浸渍处理槽，其贮留磷酸水溶液并将所述基板浸渍在磷酸水溶液中从而进行对氮化硅膜的蚀刻处理；添加剂投入装置，其向所述浸渍处理槽内的磷酸水溶液中投入含有六氟硅酸的添加剂；捕集剂投入装置，其向所述浸渍处理槽内的磷酸水溶液中投入含有氟硼酸的捕集剂。 | ||
| 地址 | 日本京都府京都市 | ||