| 发明名称 | 存储器单元结构、装置、控制器及其制造和操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了存储器单元结构、装置、控制器及其制造和操作方法。示例性实施例说明了使用双极结晶体管(BJT)操作的存储器单元结构、存储器阵列、存储器装置、存储器控制器和存储器系统。 | ||
| 申请公布号 | CN101393770A | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200810175644.9 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋基焕;卓南均 |
| 分类号 | G11C11/401(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/401(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张 波 |
| 主权项 | 1. 一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个存储器单元，每个所述存储器单元包括具有分别连接到至少一个位线、至少一个源极线和至少一个字线的第一节点、第二节点和栅极节点的浮体晶体管；以及控制单元，其通过选择所述至少一个源极线和所述至少一个位线之一，响应刷新指令进行刷新操作，其中如果第一数据存储在与所选定的线相连的存储器单元，则由双极结操作引起的第一电流流动。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||