发明名称 |
一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及硅基有机发光微显示器件制造技术领域,具体涉及一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法。为了解决现有技术中有机发光微显示器件表面电极不平整的问题,本发明提供一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法,在硅基片基底上依次完成内部驱动电路、绝缘层、像素表面电极下的通孔,然后在整个表面形成一层绝缘层,光刻后进行刻蚀,将像素区域的绝缘层去除,露出通孔,保留像素间的绝缘层作为隔离墙进行隔离,之后在表面形成金属银层,进行CMP工艺,直到隔离墙露出,此时像素之间隔离开。本发明有效的提高了银与绝缘层的黏附性,在CMP工艺时不易脱落;表面银电极形成大马士革结构,采用CMP工艺提高表面平整度。 |
申请公布号 |
CN101393891A |
申请公布日期 |
2009.03.25 |
申请号 |
CN200810224032.4 |
申请日期 |
2008.10.10 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
黄苒;夏洋;杜寰;赵毅;王晓慧;韩郑生;潘国顺 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1、一种硅基有机发光微显示器件表面银电极的制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)在硅基衬底上完成驱动电路、并完成绝缘层的制备;(2)在绝缘层上完成像素电极下通孔的刻蚀;(3)在完成通孔后生长一层绝缘层;(4)对所述绝缘层光刻后进行刻蚀,露出像素区表面,留下像素之间绝缘层作为隔离墙;(5)生长电极层,使像素区电极层的高度高于隔离墙;(6)对银表面进行CMP工艺,直到露出隔离墙,使所有像素隔开。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |