| 发明名称 | 半导体激光器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光器：具有：半导体基板；以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部；在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜；在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即，达到所要求的反射率，并且，当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN100472901C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
| 申请号 | CN200710002036.3 | 申请日期 | 2005.02.17 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 外山智一郎 |
| 分类号 | H01S5/227(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/227(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘 建 |
| 主权项 | 1. 一种半导体激光器：具有：半导体基板、以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部、在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜、在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即：达到所要求的反射率，并且，在相对于光的波长的反射率变化的曲线中，当波长成为所述振荡波长λ时曲线斜率为负，同时所述氧化铝膜的厚度满足按光学距离为0.6λ以上、1.5λ以下。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||