发明名称 | 在半导体器件中用于待机功率降低的方法和设备 | ||
摘要 | 一种用于半导体存储器器件的字线驱动器电路。制作该驱动电路中的一个或者多个晶体管,以便在一定的条件下它们对栅感应的二极管漏泄(GIDL)敏感。晶体管的一个端子被耦合到局部电源结点,在待机状态期间当字线驱动器电路没有驱动字线时,所述晶体管的一个端子被保持在比全局电源结点上的电压小的电压。在一个实施例中,局部电源结点通过在其栅极处接收控制信号的至少一个去耦合晶体管并且通过vt连接的晶体管而被耦合到全局电源结点,以便当该去耦合晶体管被截止时,在局部电源结点上的电压被保持在不超出一个小于全局电源结点电压的晶体管阈值电压的电平。当在字线驱动操作之前该去耦合晶体管被导通时,局部电源结点上的电压上升到全局电源结点的电压。优选的是,控制去耦合晶体管的控制信号是目的在于产生控制信号而不是控制去耦合晶体管而所产生的控制信号或者是从该控制信号中导出的。 | ||
申请公布号 | CN100472646C | 申请公布日期 | 2009.03.25 |
申请号 | CN02827389.3 | 申请日期 | 2002.11.20 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | J·克林;J·施雷克;J·莫里斯;R·奥默 |
分类号 | G11C8/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C8/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
主权项 | 1. 一种用于半导体存储器器件的驱动器电路,包括:至少一个对电流漏泄敏感的电路元件;局部电源结点,耦合到所述至少一个电路元件来向其提供功率;总的电源结点;第一晶体管,具有耦合到所述总的电源结点的源极端子和耦合到所述局部电源结点的漏极端子,并且具有栅极端子用于接收施加在其上的第一控制信号;第四晶体管,具有耦合到所述总的电源结点的源极端子和耦合到所述局部电源结点的漏极端子,并且具有栅极端子用于接收施加在其上的第二控制信号;降压元件,耦合在所述总的电源结点和所述局部电源结点之间。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |