| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种将蓝宝石晶圆切割为晶片时，可在极高的良率下正确地切割为晶片之半导体发光元件的制造方法。此半导体发光元件的制造方法系由在具有定向平面之蓝宝石基板上层积氮化镓系化合物半导体而成之晶圆来制造半导体发光元件的制造方法，系包含：在与前述定向平面平行之方向Xo具有偏角θ之蓝宝石基板的第1主面上，层积半导体层；将第1裁切沟形成于前述半导体层侧，此第1裁切沟系在与前述方向Xo大致垂直之方向Y延伸；于前述蓝宝石基板的内部，以与前述第1裁切沟平行且对应于偏角θ的斜率之方式从第1裁切沟内的分割预定线往±Xo方向偏移预定距离而形成第2裁切线；并且沿着前述第1及/或第2裁切线来分割晶圆之步骤。 |
