| 摘要 |
提供一种在内藏有非挥发性记忆体的半导体积体电路装置中，可以高速动作，而且可以提升记忆体之集积度的技术。具有：字元线WL；由位元线BLT、BLB构成之互补位元线；共通源极线CS、CS1、CS2；及记忆格MC，连接于上述字元线WL及上述互补位元线；上述记忆格MC具有MOS电晶体M1、M2，MOS电晶体M1、M2之闸极连接于上述字元线WL；MOS电晶体M1之汲极连接于互补位元线BLT；MOS电晶体M2之汲极连接于互补位元线BLB；MOS电晶体M1、M2之各源极，系被连接于共通源极线CS、CS1、CS2之其中之一，或者被设为浮置状态，据此而于上述记忆格MC被记忆记忆资讯。 |
