半导体元件及半导体元件之制造方法

摘要

具备有以Mg#sB!x#eB!Zn#sB!1-x#eB!O（0≦x＜1）为主成分之半导体层，而作为包含于半导体层中之不纯物的锰的浓度，系为1×10#sP!16#eP!cm#sP!-3#eP!以下。