多孔膜形成用组合物,该组合物的制备方法,多孔膜及半导体装置

摘要

本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。

主权项

1. 制备多孔膜形成用组合物的方法，包括：制备组分A的步骤；赋予组分A交联性的步骤；和暂时终止交联性的步骤；其中组分A选自聚硅氧烷粒子，二氧化硅粒子和沸石粒子，所述赋予组分A交联性的步骤包括加入作为组分B的至少一种有机硅化合物，和所述暂时终止交联性的步骤包括加入分子中具有至少两个羧基的羧酸，由组分B构成的所述至少一种有机硅化合物是至少一种下式(6)的有机硅化合物或其部分水解缩合产物：(R5)kSi(OR6)4-k (6)其中，R5表示氢原子或直链、支链或环状C1-8烷基，或芳基，其中烷基或芳基均任选地具有取代基；R6相同或不同，分别独立地表示氢原子或C1-4烷基；k表示0或1。