半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装载的制造方法中，在形成LOCOS氧化膜后，使用LOCOS氧化膜的鸟嘴形成漏极扩散层，因此，存在漏极扩散层的位置精度差的问题。在本发明的半导体装置的制造方法中，在外延层(4)上面堆积多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。构图为在形成LOCOS氧化膜(14)的区域残留多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)。而且，将多晶硅膜(9)及氮化硅膜(10)的台阶作为对准标记使用，形成作为漏极区域的扩散层(11)。然后，形成LOCOS氧化膜(14)。通过该制造方法，可不受LOCOS氧化膜的形状影响，而高位置精度地形成扩散层(11)。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括:在半导体层表面形成绝缘层，并以在该半导体层上将要形成场氧化膜的区域设置开口部的方式选择性地除去所述绝缘层的工序；在所述半导体层表面堆积抗蚀剂后，将所述绝缘层的台阶作为对准标记使用，选择性地除去所述抗蚀剂，以所述抗蚀剂为掩模，形成漏极扩散层的工序；使用所述绝缘层，从所述半导体层表面形成所述场氧化膜，在除去所述绝缘层的一部分后，以至少其一端侧配置在所述场氧化膜上方的方式形成栅极电极的工序；以其一部分配置在所述栅极电极的另一端侧下方的方式形成反向栅扩散层，并从该反向栅扩散层表面形成源极扩散层的工序。