半导体存储器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在反应室进行定期维护之后，所述方法包括：用试片对反应室进行适应性调整；在反应室内利用测试晶片单独运行刻蚀工艺；检测刻蚀速率；根据所述刻蚀速率调整正式生产晶片的刻蚀工艺时间。本发明的方法能够将侧壁间隔层控制在所需的宽度，其误差被控制在±1的范围内，且缩短了由于反应室的定期维护后所必须的所适应性调整时间，提高了生产效率和良品率，降低了生产成本。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，在反应室进行定期维护之后，所述方法包括:a利用试片对反应室进行适应性调整，所述适应性调整就是在反应室中投放试片，运行与正式晶片的制造相同的工艺，其中包括侧壁间隔层的刻蚀工艺；b在反应室内利用具有栅极结构的测试晶片单独运行刻蚀侧壁间隔层的工艺步骤；c确定侧壁间隔层的刻蚀速率；d根据所述刻蚀速率调整正式生产晶片时侧壁间隔层的刻蚀时间，如果刻蚀速率增加的话，则在刻蚀正式晶片的侧壁间隔层时减少刻蚀时间；若检测到刻蚀速率减少，则在正式晶片的刻蚀时延长刻蚀时间。