| 发明名称 | 半导体二极管及其方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施方案中，二极管被制作成在半导体衬底二个表面上具有阳极。 | ||
| 申请公布号 | CN100468656C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510113551.X | 申请日期 | 2005.10.17 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 约翰·D·莫兰;布兰卡·E·克鲁索;约瑟·R·莫雷诺 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种制作二极管的方法，它包含:提供具有第一表面和第二表面的衬底，该第二表面在该衬底的与第一表面相反侧上；在衬底的第一表面上形成二极管的第一阳极；以及在衬底的第二表面上形成二极管的第二阳极。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||