ZrB₂/W纳米多层膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种ZrB₂/W纳米多层膜及其制备方法，利用离子束辅助沉积系统，分别在未加辅助条件、加N₂辅助条件、用N₂辅助结合加热条件三种情况下，用Ar⁺轰击ZrB₂和W靶，在单面抛光的Si(100)基底上沉积ZrB₂和W的多层膜。该ZrB₂/W纳米多层膜在20-30纳米厚的纯ZrB₂层上交替存在着W和ZrB₂层，每周期层厚为3-16纳米，多层膜的周期为33-140层，总层厚为480～540纳米。溅射离子源工艺参数：溅射能量1.3keV，溅射束流25mA。用低能N⁺进行辅助轰击，其工艺参数：辅助能量200eV，辅助束流5mA。通过改变多层膜的调制周期，ZrB₂与W层的调制比保持在3/1，厚度保持在约500nm。该ZrB₂/W纳米多层膜具有高硬度、较低内应力，高膜基结合力的优良综合特性，在刀刃具、模具表面强化薄膜中具有重要的应用前景。

主权项

1、一种ZrB2/W纳米多层膜，其特征是：在20-30纳米厚的纯ZrB2层上交替存在着W和ZrB2层，每周期层厚为3-16纳米，多层膜的周期为33-140层，总层厚为480-540纳米。