发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括:第一衬底,包括其中提供有读出电路的像素部分和其中提供有外围电路的外围部分。可以在第一衬底上形成包括线路的层间电介质,以便与读出电路和外围电路连接。通过键合工艺,可以在层间电介质对应于像素部分的那部分提供晶态半导体层,其可以包括第一光电二极管和第二光电二极管。第一和第二光电二极管可以由晶态半导体层中的器件隔离槽来限定。可以在包括器件隔离槽的晶态半导体层上形成器件隔离层。上部电极层通过器件隔离层以与第一光电二极管的一部分连接。可以在上部电极层中形成暴露部分,以便选择性地暴露第一光电二极管的上部区域。钝化层可以在其上提供有暴露部分的第一衬底上形成。 |
申请公布号 |
CN101383367A |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200810215647.0 |
申请日期 |
2008.09.08 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
黄俊 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
朱 胜;王 萍 |
主权项 |
1. 一种图像传感器,包括:第一衬底,包括其中提供有读出电路的像素部分和其中提供有外围电路的外围部分;第一衬底上的层间电介质,该层间电介质包括与读出电路相连的第一线路和与外围电路相连的第二线路;位于层间电介质的对应于像素部分的那部分上的晶态半导体层;晶态半导体层中的第一光电二极管和第二光电二极管,该第一光电二极管和第二光电二极管被器件隔离槽分离,第一光电二极管和第二光电二极管被连接到第一线路中的相应线路;包括器件隔离槽的晶态半导体层上的器件隔离层;通过晶态半导体层上的器件隔离层以与第一光电二极管的一部分连接的上部电极层;上部电极层中的暴露部分,该暴露部分选择性地暴露第一光电二极管的上部区域;以及其上提供有暴露部分的第一衬底上的钝化层。 |
地址 |
韩国首尔 |