使用光学照射的结形成的设备和方法

摘要

公开了一些方法和系统，包括用至少一种掺杂物掺杂半导体，并使半导体暴露于光源，其中该曝光发生在所述半导体退火阶段之前、期间和/或之后。退火阶段可包括退火期和/或激活期，它们基本上可同时发生。该系统可包括：至少一个掺杂装置，用于向半导体提供至少一种掺杂物；至少一个退火装置，用于执行退火阶段；以及至少一个光源，其中半导体在退火阶段之前、期间和/或之后，暴露于来自光源的光。

主权项

1. 一种方法，包括:用至少一种掺杂物掺杂半导体，以及使所述半导体曝光于至少一个光源，所述至少一个光源提供的光具有的波长范围在200纳米和1100纳米之间，其中所述曝光发生在所述半导体的退火阶段之前、期间和之后中至少之一；以及在所述曝光期间通过选择所述波长来控制掺杂物扩散和掺杂物激活的至少其中之一。