| 发明名称 | 图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，包括CMOS电路；介电层，在所述半导体衬底上，所述介电层包括金属互连；底部电极，在所述金属互连上，其中所述底部电极具有至少一个突起；光电二极管，在所述介电层和所述底部电极上；以及顶部电极，在所述光电二极管上。通过本发明的图像传感器及其制造方法，能够提高底部电极的电子接收能力，并且能够减少或防止相邻底部电极之间的干扰(例如串扰和/或噪声)。 | ||
| 申请公布号 | CN101383365A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810213825.6 | 申请日期 | 2008.09.08 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李秉镐 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1、一种图像传感器，包括：半导体衬底，包括CMOS电路；介电层，位于所述半导体衬底上，且包括金属互连；底部电极，位于所述金属互连的表面上，所述底部电极具有至少一个突起；光电二极管，位于所述介电层和所述底部电极上；以及顶部电极，位于所述光电二极管上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||