193nm远紫外光刻胶及其制备方法

摘要

本发明涉及制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm远紫外单束光为曝光光源的光刻胶及其制备方法。它采用3，4-二氢吡喃、顺丁烯二酸酐、甲基丙烯酸特丁酯三种单体同时参与共聚反应，在大分子主链上引入脂环单元，形成式I所示结构的成膜树脂。用该成膜树脂制成的光刻胶，不仅在193nm处具有较好的透过性，支持高分辨率，可以实现0.1μm的线宽，而且具有较高的抗干法腐蚀能力，适用于各种干法曝光工艺，曝光之后膜的抗收缩性能和透气性能，均能满足制作大规模集成电路芯片的严格要求。

主权项

1、193nm远紫外光刻胶的制备方法，将成膜树脂、感光剂、添加剂和溶剂按照常规工艺进行搅拌溶解、性能调整、循环过滤，调配成光刻胶，其特征在于：所述成膜树脂含有式I所示大分子结构的聚合物，以式II、式III和式IV这三种物质作为单体1、单体2和单体3，是按照以下步骤制备而成——式I式II式III式IV①在惰性气氛下，以二氯甲烷、四氢呋喃或者二氧六环为溶剂，将上述三种单体与聚合引发剂一起放入反应容器中，搅拌均匀，单体1、单体2、单体3与溶剂的重量配料比为(30～80):(30～80):(20～40):(3000～7000)；②用水浴或油浴将反应体系加热到60～90℃，保持4～8小时；③降温到室温，加入足量甲醇或乙醚，产生大量沉淀物，过滤、干燥，得成膜树脂粗品；④将粗品溶于有机溶剂，用足量甲醇或乙醚再次沉淀、过滤、干燥，得成膜树脂成品。