发明名称 记忆元件及记忆体
摘要 提供可不必增大写入电流,就能改善热稳定性的记忆体。具有将资讯以磁性体的磁化状态而加以保持的记忆层17;对于该记忆层17,隔着中间层16而设置磁化固定层31;中间层16是由绝缘体所成;藉由在层积方向注入已自旋偏极之电子,使记忆层17的磁化M1方向改变,以对记忆层17进行资讯记录;具备:记忆元件3,系从位于记忆层17周围的热膨胀系数是小于记忆层17的绝缘层,来对记忆层17施加形变;和配线,系供给着在记忆元件3之层积方向上通过之电流;而构成了记忆体。
申请公布号 TW200910348 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW097125897 申请日期 2008.07.09
申请人 新力股份有限公司 发明人 细见政功;大森广之;五十岚实;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司
分类号 G11C11/14(2006.01) 主分类号 G11C11/14(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本