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发明名称
多层膜形成方法及装置
摘要
本发明揭示了一种多层薄膜形成方法及多层薄膜形成装置,其系可使铅系钙钛矿复合氧化物组成的薄膜之诱电性与压电性提升。该多层薄膜形成方法系包含使用下部电极层靶材(TG2)以溅镀法于基板(S)上方,形成由贵金属所组成之下部电极层(32b);及使用含铅氧化物层靶材(TG3)以溅镀法于下部电极层(32b)上方层积铅系钙钛矿复合氧化物层(33)。该下部电极层(32b)厚度系规定为10~30nm,而该铅系复合氧化物层(33)之厚度系规定为0.2至5.0μm。
申请公布号
TW200909596
申请公布日期
2009.03.01
申请号
TW096148586
申请日期
2007.12.19
申请人
爱发科股份有限公司
发明人
木村勋;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡
分类号
C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01);C01G25/00(2006.01)
主分类号
C23C14/08(2006.01)
代理机构
代理人
陈传岳;郭雨岚
主权项
地址
日本
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