| 发明名称 | 调整蚀刻偏差的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种调整蚀刻偏差的方法，其中，调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。降低抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来增加多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小，以减小蚀刻偏差。蚀刻偏差是光刻后图形尺寸的大小与蚀刻后图形尺寸的大小的差值。与现有技术相比，本发明通过改变蚀刻抗反射涂层中蚀刻气体的含氧量就可以控制蚀刻后图形的尺寸，从而达到有效控制蚀刻偏差的效果，而且，不会影响到多晶硅的塑型，所以采用该方法生产的稳定性很好。 | ||
| 申请公布号 | CN101372745A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710045041.2 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈泰江;候欢;刘喻;吕隆;靳颖;王劲松 |
| 分类号 | C23F1/12(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/467(2006.01) | 主分类号 | C23F1/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种调整蚀刻偏差的方法，其特征在于：调整抗反射涂层蚀刻过程中充入蚀刻气体的含氧量来调整多晶硅蚀刻后形成图形尺寸的大小。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||